продукты

ARJ11F-MASA-AB-EM2 со светодиодным индикатором Gigabit Ethernet, 12-контактный удлиненныйГнездовой разъем RJ45Джек

Метод анализа разъема RJ в основном аналогичен обычному методу анализа сигналов, который заключается в использовании программного обеспечения для моделирования, анализа результатов и получения выводов.Анализ модели разъема RJ аналогичен анализу модели схемы.Просто обратите внимание на точное моделирование и имитацию RJ и эффекта переходного отверстия, что очень важно для оценки качества сигнала.Ниже приведены пять моделей анализа модели разъема RJ:
1. Модель с одним проводом подходит для одиночных проводов в RJ, таких как высокоскоростные линии передачи сигналов, которые можно использовать для моделирования отражения, задержки и смещения, затухания и качества передачи сигнала.
2. Модель S-параметров в основном используется в частотной области и позволяет моделировать пропускную способность и перекрестные помехи.После преобразования во временной области можно построить импеданс, перекрестные помехи, задержку передачи и глазковые диаграммы.
3. Многопроводная модель подходит для многоконтактного RJ, включая сенсорные компоненты, связь между прикосновением и прикосновением, связь между прикосновением и экраном, связь между контактными площадками и т. д. В дополнение к параметрам, имитируемым SLM, она также может быть используется для имитации перекрестных помех и отражения от земли.
4. Модель IBIS — это быстрый и точный метод моделирования I/O BUFFER на основе кривой V/I.Он поддерживает все типы RJ и множество различных моделей RJ, таких как дифференциальная и несбалансированная сигнализация, SLM (без связи), MLM (связь), каскадирование моделей, межплатная связь, плата-кабель и т. д.
5. Модель SPICE. Это широко распространенная программа моделирования на уровне схемы.Компоненты анализируемой схемы могут включать сопротивление, емкость, индуктивность, взаимную индуктивность, независимый источник напряжения, независимый источник тока, различные линейные управляемые источники, линии передачи и активные полупроводники.Устройство.